高dVCOM/dt承受能力受MDK55A二个条件影响：
　　dICOM/dt—切换时负载MDK55A电流下降率。dICOM/dt高，则dVCOM/dt承受能力下降。
　　结面温度Tj越高，dVCOM/dt承受能力越下降。假如双向可控硅MDK55A的dVCOM/dt的允许值有可能被超过，为避免发生假触发，可在T1 和T2 间装置RC缓冲电路，以此限制MDK55A电压上升率。通常选用47~100Ω的能承受浪涌电流的碳膜电阻，0.01μF~0.47μF的电容，晶闸管MDK55A关断过程中主电流过零反向后迅速由反向峰值恢复至零MDK55A电流，此过程可在元件两端产生达正常工作峰值电压5-6倍的尖峰电压。一般建议在尽可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路。
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