N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于MDK55A电源和负载之间，电阻R1为MOS管提供电压偏置，利用MOS管的开关特性控制MDK55A电路的导通和断开，从而防止MDK55A电源反接给负载带来损坏。正接时候，R1提供VGS电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds（on）只有20mΩ实际损耗很小，2A的MDK55A电流，功耗为（2×2)×0.02=0.08W根本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。

VZ1为稳压管防止栅源MDK55A电压过高击穿mos管。NMOS管的导通电阻比PMOS的小，最好选NMOS。
NMOS管接在电源的负极，栅极高MDK55A电平导通。
PMOS管接在电源的正极，栅极低电平导通。图3. NMOS管型防反接保护MDK55A电路
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