断开状态下MDK55A电压变化率dvD/dt。若截止的双向可控硅MDK55A上(或门极灵敏的闸流管)作用很高的电压变化率，尽管不超过VDRM，电容性内部电流能产生足够大的门极MDK55A电流，并触发器件导通。门极灵敏度随温度而升高。假如发生这样的问题，T1 和T2 间(或阳极和阴极间)应该加上RC 缓冲MDK55A电路，以限制dvD/dt。
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