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KP200A单相可控硅芯片

KP200A单相可控硅芯片

 
电特性/极限值 Electric speciality/limit value
 
符号 参数 参数值 单位
IT 正向平均电流 200 A
VDRM/VRRM 断态/反向重复峰值电压 1200-1600 V
IGTMax 控制极触发电流 60 mA
VGTMax 控制极触发电压 1.5 V
ITSM 通态不重复浪涌电流 2200 A
IHMax 维持电流 120 mA
dv/dt 通态电压临界上升率 800 V/μs
di/dt 通态电流临界上升率 100 A/μs
VTM 通态峰值电压 1.50 V
size 芯片尺寸 Φ27 mm